Мы уже не раз писали о подготовке Qualcomm нового флагманского процессора Snapdragon 830, который в 2017 году должен дебютировать в различных высококлассных смартфонах. Теперь благодаря информированным источникам мы узнали, что параллельно специалисты компании совершенствуют фирменную технологию быстрой зарядки Quick Charge.
Сообщается, что Snapdragon 830 получит на вооружение Quick Charge 4.0, которая предложит мощность 28 Вт. Информаторы утверждают, что чип будет поддерживать 5V/4.7A~5.6A, 9B/4A, а это сулит ультрабыструю зарядку устройств. Естественно, что такая высокая мощность может спровоцировать взрыв батареи. Не допустить этого, призвана технология INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage). Она отвечает за адаптацию и оптимизацию напряжения и силы тока под возможности зарядного устройства. Специалисты Qualcomm уверены, что такая тонкая настройка в итоге и позволит найти нужный баланс безопасности и быстрой зарядки.
Напомним, что Snapdragon 830 будет базироваться на ядрах Kryo 200, и для его создания использована 10-нанометровая технология. Массовое производство чипа развернется на площадях компании Samsung, но не исключено, что к выпуску процессоров будет причастна и TSMC.