10 дней спустя после релиза нового смартфона Apple iPhone SE специалисты ресурса Chipworks разобрали это устройство на винтики и тщательно рассмотрели все его внутренние компоненты.
В смартфоне Apple iPhone SE используется 2 ГБ оперативной памяти стандарта LPDDR4 производства SK Hynix. Такой же объём памяти устанавливается и в устройства серии iPhone 6s. Новинка оснащена флэш-памятью ёмкостью 16 ГБ производства Toshiba. Причём, этот конкретный чип изготовлен по нормам 19-нанометрового технологического процесса, хотя сейчас компания отгружает чипы, изготовленные по 15-нанометровой технологии.
Как оказалось, не все компоненты в iPhone SE являются новыми. Некоторые комплектующие (чипы Broadcom BCM5976 и Texas Instruments 343S0645) перекочевали в новинку из iPhone 5s, что связано с особенностью используемого дисплея.
За работу со стандартом NFC отвечает чип NXP 66V10, состоящий из двух кристаллов: Secure Element 008 и NXP PN549. Такое же решение применялось и в смартфонах серии iPhone 6s.
Также от iPhone 6s используется компонентная база, ответственная за работу 6-осевого внутреннего сенсора (отслеживает смещение и наклоны по осям x, y, z) – решение InvenSense.
Модем Qualcomm MDM9625M и радиочастотный приемопередатчик WTR1625L аналогичны тем, которые используются в iPhone 6/6 Plus.
За обработку звука отвечают интегральные схемы 338S00105 и 338S1285 (вероятно, производства Cirrus Logic), их также можно было встретить iPhone 6s и 6s Plus.
Единственным абсолютно новым компонентом, который не использовался в предыдущих моделях iPhone, оказался чип 338S00170, отвечающий за управление питанием.
Источник: Chipworks