Следующий год имеет все шансы стать годом расцвета 10-нм процессоров. Практически все крупнейшие производители полупроводниковой продукции анонсировали выход чипов, созданных по нормам передового техпроцесса. Одним из претендентов на звание лучшего является Snapdragon 835, к производству которого причастна Samsung. Полные характеристики чипа Qualcomm еще не огласила, поэтому приходится довольствоваться утечками от инсайдеров.
Snapdragon 835 (MSM8998) изготовлен с применением 10-нм техпроцесса FinFET с возросшей плотностью транзисторов 12х12,7 PoP, что на 34% больше, чем предлагает Snapdragon 821. Чип получил два кластера по архитектуре ARMv8, где каждому досталось по 4 ядра Kryo 280. Оснастили новинку и нового поколения графическим процессором Adreno 540, работающим на частоте 670 МГц, предложившим прирост производительности на 30% в сравнении с Adreno 530 в Snapdragon 821. Еще одной особенностью Snapdragon 835 станет самый быстрый в мире модем X16 LTE Cat.16. Заявлена поддержка оперативной памяти LPDRR4X и технологии быстрой зарядки Qiuck Charge 4.0. Подтверждают инсайдеры и то, что дебютировать топовый процессор от Qualcomm должен в Samsung Galaxy S8 в первой половине 2017 года, а следующим его обладателем станет Xiaomi Mi6.
