Мы все еще находимся в предвкушении выхода реальных продуктов с Snapdragon 820, которые можно будет «пощупать» и уже достоверно сделать выводы об уровне производительности чипа. За производство флагманского процессора отвечает компания Samsung и, как стало известно ранее, в планах американского чипмейкера выход Snapdragon 830, который вновь будет выпускаться на производственных площадях южнокорейского гиганта.
Мы уже слышали о том, что Snapdragon 830 будет поддерживать работу 8 Гб оперативной памяти, а теперь слухи предрекают появление модема X16 LTE. Его потенциал позволяет обеспечить скорость загрузки данных до 1 Гбит/с.
Помимо этого, стало известно, что флагманский чипсет создадут с применением 14 нанометрового техпроцесса FinFET, который уже реализован в Exynos 8890. Ранее в сети ходила информация, что Snapdragon 830 будет создан по 10-нм техпроцессу от Samsung, но, похоже, от этой затеи решено отказаться из-за необходимости совершенствовать технологию. По предварительным данным, Snapdragon 830 на 15% превзойдет по производительности и энергоэффективности своего предшественника. По слухам, массовое производство чипа начнется в 2017 году.
This entry passed through the Full-Text RSS service - if this is your content and you're reading it on someone else's site, please read the FAQ at fivefilters.org/content-only/faq.php#publishers.